[发明专利]一种铌酸锂周期光栅结构的制备方法在审
| 申请号： | 201910710797.7 | 申请日： | 2019-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN112305651A | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 张春霞;尹承静;张维佳;黄颖 | 申请（专利权）人： | 天津科技大学 |
| 主分类号： | G02B5/18 | 分类号： | G02B5/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300222 天*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开一种铌酸锂周期光栅结构的制备方法。该方法选取合适尺寸的Y36°和Y128°切向的同成份铌酸锂晶片作为基底，在225℃下质子交换3个小时，然后采用湿法刻蚀的方法，即将样品放入HF‑HNO3混合刻蚀液中10个小时，得到周期光栅结构。本发明基于湿法刻蚀法制作周期光栅，该制作方法操作简便，无需掩模光刻，刻蚀的选择性好，成本较低，有利于推广和应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 铌酸锂 周期 光栅 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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