[发明专利]基板处理装置和基板处理方法在审
| 申请号： | 201910711315.X | 申请日： | 2019-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN110797282A | 公开（公告）日： | 2020-02-14 |
| 发明（设计）人： | 上村史洋;大塚贵久;小宫洋司;绪方信博 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司： | 11277 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基板处理装置和基板处理方法，提供一种能够减少处理液的废弃量的技术。基板处理装置具有：处理室，在该处理室中利用处理液来对基板进行处理；喷嘴，其在前端部具有所述处理液的喷出口；喷嘴槽，在该喷嘴槽的内部形成有收容室，该收容室用于在所述处理液向所述基板的供给中断的待机时收容所述喷嘴的所述前端部；循环线路，其用于使从所述喷嘴喷出至所述喷嘴槽的所述处理液返回所述喷嘴；以及第一限制部，在使从所述喷嘴喷出至所述喷嘴槽的所述处理液向所述喷嘴循环时，该第一限制部限制所述喷嘴槽的外部与存在于所述喷嘴槽的内部的所述处理液之间的气体的流动。 | ||
| 搜索关键词： | 处理液 喷嘴槽 喷嘴 基板处理装置 喷嘴喷 前端部 收容室 基板处理 循环线路 对基板 喷出口 待机 基板 废弃 中断 返回 外部 流动 | ||
【主权项】：
1.一种基板处理装置，具有：/n处理室，在该处理室中利用处理液来对基板进行处理；/n喷嘴，其在前端部具有所述处理液的喷出口；/n喷嘴槽，在该喷嘴槽的内部形成有收容室，该收容室用于在所述处理液向所述基板的供给中断的待机时收容所述喷嘴的所述前端部；/n循环线路，其用于使从所述喷嘴喷出至所述喷嘴槽的所述处理液返回所述喷嘴；以及/n第一限制部，在使从所述喷嘴喷出至所述喷嘴槽的所述处理液向所述喷嘴循环时，该第一限制部限制所述喷嘴槽的外部与存在于所述喷嘴槽的内部的所述处理液之间的气体的流动。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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