[发明专利]一种沟槽肖特基整流器在审
| 申请号： | 201910712748.7 | 申请日： | 2019-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN110610996A | 公开（公告）日： | 2019-12-24 |
| 发明（设计）人： | 徐向涛;陈文锁;张成方;廖瑞金 | 申请（专利权）人： | 重庆平伟伏特集成电路封测应用产业研究院有限公司;重庆大学 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872 |
| 代理公司： | 50201 重庆大学专利中心 | 代理人： | 胡正顺 |
| 地址： | 405200 重*** | 国省代码： | 重庆;50 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽肖特基整流器，包括下电极层、重掺杂第一导电类型衬底层、第一导电类型漂移层、沟槽栅介质区、沟槽栅填充区、肖特基势垒接触区和上电极区。本发明可以获得反向恢复时间短，开关损耗小的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 第一导电类型 沟槽栅 沟槽肖特基整流器 肖特基势垒接触 反向恢复 开关损耗 下电极层 衬底层 电极区 介质区 漂移层 填充区 重掺杂 | ||
【主权项】：
1.一种沟槽肖特基整流器，其特征在于，包括下电极层(1)、重掺杂第一导电类型衬底层(2)、第一导电类型漂移层(3)、沟槽栅介质区(4)、沟槽栅填充区(5)、肖特基势垒接触区(6)和上电极区(7)；/n所述重掺杂第一导电类型衬底层(2)覆盖于下电极层(1)之上；/n所述第一导电类型漂移层(3)覆盖于重掺杂第一导电类型衬底层(2)之上。/n所述沟槽栅介质区(4)为U型槽；/n所述沟槽栅介质区(4)覆盖在第一导电类型漂移层(3)之上的部分表面；/n所述沟槽栅填充区(5)填充在沟槽栅介质区(4)内；/n所述肖特基势垒接触区(6)覆盖在第一导电类型漂移层(3)之上的部分表面；/n所述肖特基势垒接触区(6)和沟槽栅介质区(4)间隔分布；/n所述上电极区(7)覆盖肖特基势垒接触区(6)之上。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于重庆平伟伏特集成电路封测应用产业研究院有限公司;重庆大学，未经重庆平伟伏特集成电路封测应用产业研究院有限公司;重庆大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910712748.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
