[发明专利]具有屏蔽区域的MOSFET器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201910713960.5 | 申请日： | 2019-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN110797389A | 公开（公告）日： | 2020-02-14 |
| 发明（设计）人： | M·G·萨吉奥;E·扎内蒂 | 申请（专利权）人： | 意法半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 11256 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 王茂华;李兴斌 |
| 地址： | 意大利阿格*** | 国省代码： | 意大利;IT |
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| 摘要： | 本公开涉及具有屏蔽区域的MOSFET器件及其制造方法。一种MOSFET器件，包括由半导体材料制成的结构区域，半导体材料具有第一类型的导电性，结构区域具有沿着轴线彼此相对的第一侧和第二侧；具有第二类型的导电性的本本体区域域，第二类型与第一类型相对，本本体区域域在结构本体中从第一侧延伸；具有第一类型的导电性的源极区域，源极区域在本本体区域域中从第一侧开始延伸；栅极区域，在结构区域中从第一侧开始延伸，并且完全横跨本本体区域域；以及具有第二类型的导电性的屏蔽区域，屏蔽区域在结构区域中在栅极区域和第二侧之间延伸。在俯视视图中，屏蔽区域是与栅极区域自对准的注入区域。 | ||
| 搜索关键词： | 导电性 结构区域 屏蔽区域 栅极区域 半导体材料 延伸 源极区域 彼此相对 结构本体 注入区域 自对准 俯视 横跨 制造 | ||
【主权项】：
1.一种MOSFET器件，包括：/n半导体材料的结构本体，所述半导体材料具有第一类型的导电性，所述结构本体具有沿着轴线彼此相对的第一侧和第二侧；/n具有第二类型的导电性的本本体区域域，所述第二类型的导电性与所述第一类型的导电性相对，所述本本体区域域在所述第一侧处在所述结构本体中延伸；/n具有所述第一类型的导电性的源极区域，所述源极区域在所述本本体区域域上延伸；/n沟槽栅极，在所述结构本体中从所述第一侧开始延伸，并且完全穿过所述本本体区域域和所述源极区域；以及/n具有所述第二类型的导电性的屏蔽区域，所述屏蔽区域在所述结构本体中从所述沟槽栅极的端部开始朝着所述结构本体的所述第二侧延伸，所述沟槽栅极的所述端部面对所述结构本体的所述第二侧。/n
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