[发明专利]一种衬底上的InP外延转移方法及制得的半导体器件在审
| 申请号： | 201910713995.9 | 申请日： | 2019-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN110600385A | 公开（公告）日： | 2019-12-20 |
| 发明（设计）人： | 常虎东;孙兵;苏永波;丁芃;刘洪刚;金智;刘新宇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/683 |
| 代理公司： | 11619 北京辰权知识产权代理有限公司 | 代理人： | 董李欣 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种衬底上的InP外延转移方法及制得的半导体器件。该方法包括下列步骤：步骤a：将InP外延片上远离衬底的一面键合在托片上，去除所述InP外延片的衬底；步骤b：去除衬底后在所述InP外延片远离所述托片的一面上涂覆BCB键合层；步骤c：将硅CMOS芯片晶圆正面涂覆BCB键合层；步骤d：将所述步骤b得到的InP外延片与所述步骤c得到的硅CMOS芯片进行BCB键合，得到键合片；步骤e：去除所述键合片上的托片。本发明实现了外延和集成电路芯片的高效转移，减少了转移中产生的质量缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 外延片 衬底 托片 去除 键合层 键合片 键合 涂覆 集成电路芯片 半导体器件 晶圆正面 质量缺陷 | ||
【主权项】：
1.一种衬底上的InP外延转移方法，其特征在于，包括下列步骤：/n步骤a：将InP外延片上远离衬底的一面键合在托片上，去除所述InP外延片的衬底；/n步骤b：去除衬底后在所述InP外延片远离所述托片的一面上涂覆苯并环丁烯键合层；/n步骤c：将硅CMOS芯片晶圆正面涂覆苯并环丁烯键合层；/n步骤d：将所述步骤b得到的InP外延片与所述步骤c得到的硅CMOS芯片进行苯并环丁烯键合，得到键合片；/n步骤e：去除所述键合片上的托片。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
