[发明专利]半导体装置及其制造方法在审

申请号：	201910715828.8	申请日：	2015-09-02
公开（公告）号：	CN110517964A	公开（公告）日：	2019-11-29
发明（设计）人：	松原宽明;近井智哉;石堂仁则;中村卓;本多广一;出町浩;熊谷欣一;作元祥太朗;渡边真司;细山田澄和;中村慎吾;宫腰武;岩崎俊宽;玉川道昭	申请（专利权）人：	株式会社吉帝伟士
主分类号：	H01L21/60	分类号：	H01L21/60;H01L23/485;H01L23/488
代理公司：	11408 北京寰华知识产权代理有限公司	代理人：	林柳岑;贺亮<国际申请>=<国际公布>=
地址：	日本大分***	国省代码：	日本;JP
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摘要：	本发明的半导体装置及其制造方法包括：准备形成有电极的半导体晶片，经由凸块将形成于半导体芯片的第一半导体元件与半导体晶片的电极电连接；连接半导体晶片与半导体芯片之前或之后，在相互对置的半导体晶片与半导体芯片的间隙形成第一绝缘树脂层；在半导体晶片上以直至达到掩埋半导体芯片的厚度的方式形成第二绝缘树脂层；研磨第二绝缘树脂层和半导体芯片直至半导体芯片达到规定的厚度；在第二绝缘树脂层上和半导体芯片上形成第一绝缘层，在第一绝缘层和第二绝缘树脂层形成使电极露出的开口部；用导电性材料掩埋开口部；在第一绝缘层上形成与掩埋开口部的导电性材料相连接的布线；形成与布线电连接的第一端子；以及将半导体晶片研磨成规定的厚度。
搜索关键词：	半导体芯片半导体晶片绝缘树脂层绝缘层开口部掩埋导电性材料研磨电极布线半导体元件半导体装置电极电连接间隙形成电连接对置凸块制造
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【主权项】：

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：/n提供包括电极的半导体晶片；/n经由凸块将形成于半导体芯片的第一半导体元件与所述电极电连接；/n在所述半导体晶片上形成第一绝缘树脂层直至达到掩埋所述半导体芯片的厚度为止；/n移除所述第一绝缘树脂层的部分和所述半导体芯片的部分直至所述半导体芯片的厚度达到第一预定厚度为止；/n在所述第一绝缘树脂层和所述半导体芯片上形成第一绝缘层；/n提供第一导电布线，所述第一导电布线被电耦接至所述电极且延伸穿过所述第一绝缘层和所述第一绝缘树脂层；/n在所述第一绝缘层上形成第二导电布线，所述第二导电布线与所述第一导电布线连接；/n形成与所述第二导电布线电连接的第一端子；以及/n移除所述半导体晶片的部分直至所述半导体晶片的厚度达到第二预定厚度为止。/n

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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