[发明专利]一种基于银纳米线的复合导电薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201910716254.6 | 申请日： | 2019-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN110517808B | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 赵欣;蒋陵平;李梦 | 申请（专利权）人： | 中国民用航空飞行学院 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14;H01B1/22;H01B13/00;H01L51/44;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 重庆晶智汇知识产权代理事务所(普通合伙) 50229 | 代理人： | 李靖 |
| 地址： | 618307 *** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种钨酸铵保护的银纳米导电薄膜，包括银纳米线层和钨酸铵层，是在衬底上涂覆厚度为100～400nm的银纳米线膜，在银纳米线膜表面再喷涂一层厚度为10～100nm的钨酸铵层制得；制备温度低，不挑衬底，可以在各种刚性及柔性衬底上制备出银纳米线透明导电薄膜。钨酸铵保护层不仅可以增加薄膜的附着力和耐刮伤性，增强了导电薄膜的使用寿命，提高导电稳定性，其导电性能得到提高，制得的导电薄膜均匀性好，透光率达到了84～88%，同时方块电阻低至6～12Ω/□，本发明方法适用于制备大面积均匀导电薄膜；用于有机薄膜太阳能电池制备时，可直接使用，而无需再增加额外的缓冲层就能实现能级匹配。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 纳米 复合 导电 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于银纳米线的复合导电薄膜，其特征在于：包括银纳米线薄膜层和钨酸铵层，具体是在衬底上涂覆厚度为100～400nm的银纳米线薄膜层，在银纳米线层表面再喷涂一层厚度为10～100nm的钨酸铵层。/n
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