[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201910716466.4 | 申请日： | 2019-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN110571276A | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | 刘净 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/335;H01L29/423 |
| 代理公司： | 44300 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜晶体管及其制备方法，所述薄膜晶体管依次包括基板、栅极、栅极绝缘层、有源层、接触层以及源漏极，所述栅极包括金属阻挡层和导电层，所述金属阻挡层为钼合金层，所述钼合金层包括钼以及另外两种金属元素；本发明提供一种薄膜晶体管及其制备方法，所述栅极包括金属阻挡层和导电层栅极，所述金属阻挡层为钼合金层，所述钼合金层可以为MoNbTa三元合金、MoNbNi三元合金中的一种，所述钼合金层可以增加导电层与基板的附着性，避免栅极在加工的过程中发生底切现象，以确保薄膜晶体管的正常运行，以维持其元件特性，进而提升显示面板的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 钼合金层 薄膜晶体管 金属阻挡层 导电层 三元合金 基板 制备 栅极绝缘层 金属元素 显示面板 元件特性 附着性 接触层 源漏极 底切 良率 源层 加工 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：/n基板；/n栅极，形成于所述基板上；/n栅极绝缘层，形成于所述栅极上；/n有源层，形成于所述栅极绝缘层上；/n接触层，形成于所述有源层上；以及/n源漏极，形成在所述接触层和所述栅极绝缘层上；/n其中，所述栅极包括金属阻挡层和导电层，所述金属阻挡层为钼合金层，所述钼合金层包括钼以及另外两种金属元素。/n
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