[发明专利]一种半导体器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201910717046.8 | 申请日： | 2019-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN112331718B | 公开（公告）日： | 2022-02-22 |
| 发明（设计）人： | 邓光敏 | 申请（专利权）人： | 苏州捷芯威半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335;H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，半导体器件包括衬底；位于衬底一侧的掺杂外延层；位于掺杂外延层远离衬底一侧的沟道层；其中，掺杂外延层的电阻大于沟道层的电阻；位于沟道层远离掺杂外延层一侧的势垒层；位于势垒层远离沟道层一侧的阳极和阴极，阳极贯穿势垒层、沟道层以及部分掺杂外延层，阳极与沟道层形成肖特基接触。采用上述技术方案，阳极贯穿沟道层并与掺杂外延层直接接触，不仅可以降低半导体器件的开启电压，还可以降低反偏漏电，保证半导体器件兼顾低开启电压低反向漏电的技术效果，提升半导体器件电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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