[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201910717074.X | 申请日： | 2019-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN110970495B | 公开（公告）日： | 2023-05-16 |
| 发明（设计）人： | 陈奕寰;周建志;林大为;段孝勤;亚历山大卡尔尼斯基;郑光茗;萧世崇;郭玉宏 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 顾伯兴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在一些实施例中，本公开涉及一种半导体装置，所述半导体装置包括布置于衬底内的源极区和漏极区。导电栅极设置于衬底的掺杂区上方。栅极介电层设置于源极区与漏极区之间且使导电栅极与掺杂区分离。栅极介电层的最底部表面位于衬底的最顶部表面下方。第一侧壁间隔物和第二侧壁间隔物分别沿导电栅极的第一侧和第二侧布置。第一侧壁间隔物的内部部分和第二侧壁间隔物的内部部分分别覆盖栅极介电层的第一顶部表面和第二顶部表面。漏极延伸区和源极延伸区分别使漏极区和源极区与栅极介电层分离。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
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