[发明专利]真空处理装置有效
| 申请号： | 201910717248.2 | 申请日： | 2019-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN112323034B | 公开（公告）日： | 2023-10-17 |
| 发明（设计）人： | 郭久林;张志强;杨志刚 | 申请（专利权）人： | 武汉光谷创元电子有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/48 | 分类号： | C23C14/48;C23C14/32;C23C14/35;C23C14/56 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 刘林华;金飞 |
| 地址： | 430070 湖北省武汉市东湖开发区*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种真空处理装置(1)，包括：上料系统(10)，构造成将基材(100)送入真空处理装置(1)中；设置在真空腔体(C)内的离子源系统(20)，包括前处理模块、离子注入模块(22)、多弧离子镀沉积模块(23)以及磁控溅射模块(24)，以对基材(100)进行处理；电源系统(30)，为离子源系统(20)中的各个模块提供电力；移动系统(40)，构造成移动基材(100)以使其经过离子源系统(20)中的各个模块；以及下料系统(50)，构造成从真空处理装置(1)取出处理后的基材(100)。这种真空处理装置具有高效率、自动化、低成本的特点，能够实现数量众多的小型多面体块状器件的连续金属化。 | ||
| 搜索关键词： | 真空 处理 装置 | ||
【主权项】：
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