[发明专利]半导体结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201910717464.7 | 申请日： | 2019-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN111952279A | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | 杨庆荣;陈宪伟;陈明发 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/528 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 顾伯兴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 提供一种半导体结构及其制造方法。一种半导体结构包括第一半导体衬底、第一内连结构、第一导电垫、第一介电层及第一导电连接件。第一半导体衬底包括位于第一半导体衬底中的多个第一半导体装置。第一内连结构设置在第一半导体衬底之上且电耦合到第一半导体装置。第一导电垫设置在第一内连结构之上且电耦合到第一内连结构。第一介电层覆盖第一导电垫及第一内连结构且第一介电层包括延伸穿过第一导电垫的一部分。第一导电连接件设置在第一内连结构上且电耦合到第一内连结构且第一导电连接件延伸穿过第一介电层的所述部分。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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