[发明专利]GaN基异质结场效应晶体管及制造方法在审
| 申请号： | 201910717860.X | 申请日： | 2019-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN110444600A | 公开（公告）日： | 2019-11-12 |
| 发明（设计）人： | 郭艳敏;房玉龙;尹甲运;李佳;王波;张志荣;芦伟立;高楠;王元刚;冯志红 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 秦敏华 |
| 地址： | 050051 河北*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明适用于半导体器件技术领域，尤其涉及一种GaN基异质结场效应晶体管及制造方法。所述晶体管自下而上依次包括衬底、成核层、缓冲层、沟道层、插入层、势垒层及分列于所述势垒层上的源极、栅极和漏极；其中，所述势垒层的形成材料包括：B(Al,Ga,In)N；所述势垒层的禁带宽度大于所述沟道层的禁带宽度，且所述势垒层的禁带宽度小于所述插入层的禁带宽度。其中B(Al,Ga,In)N材质的势垒层形成的异质结界面带隙差非常大，势垒层拥有超大极化场强，只需较薄的厚度即可得到很高的二维电子气浓度，从而有效抑制器件尺寸等比例缩小带来的短沟道效应，满足器件的需求。 | ||
| 搜索关键词： | 势垒层 禁带 异质结场效应晶体管 插入层 沟道层 半导体器件技术 等比例缩小 短沟道效应 二维电子气 异质结界面 极化场强 形成材料 有效抑制 成核层 带隙差 缓冲层 晶体管 衬底 分列 漏极 源极 制造 | ||
【主权项】：
1.一种GaN基异质结场效应晶体管，其特征在于，自下而上依次包括衬底、成核层、缓冲层、沟道层、插入层、势垒层及分列于所述势垒层上的源极、栅极和漏极；其中，所述势垒层的形成材料包括：B(Al,Ga,In)N；所述势垒层的禁带宽度大于所述沟道层的禁带宽度，且所述势垒层的禁带宽度小于所述插入层的禁带宽度。
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