[发明专利]薄膜沉积方法、半导体器件的制作方法及半导体器件有效
| 申请号： | 201910718090.0 | 申请日： | 2019-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN112331554B | 公开（公告）日： | 2022-03-04 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C23C16/513 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 王辉;阚梓瑄 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及一种薄膜沉积方法、半导体器件的制作方法及半导体器件。该薄膜沉积方法可包括：将半导体衬底置于沉积室内；向沉积室内充入含有第一反应气体和第二反应气体的混合气体；将射频发生器的射频功率调整至第一射频功率，使得第一反应气体和第二反应气体在第一射频功率下反应，以在半导体衬底上沉积目标薄膜；停止混合气体中第一反应气体的充入，继续混合气体中第二反应气体的充入；将射频发生器的射频功率从第一射频功率升至第二射频功率，使得第二反应气体与沉积室内残余的第一反应气体在第二射频功率下充分反应；使射频发生器的射频功率从第二射频功率以预设速率逐渐减小至零。该方案能够减少颗粒的产生，以避免后续工艺出现问题。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 沉积 方法 半导体器件 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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