[发明专利]用于替换栅极流程的内部L间隔件

摘要

本申请案涉及用于替换栅极流程的内部L间隔件。通过移除牺牲栅极电介质层(110)及牺牲栅极(112)以形成栅极腔(128)而形成集成电路(100)。在所述栅极腔(128)中形成保形电介质第一衬里(132)且在所述第一衬里(132)上形成保形第二衬里(134)。第一蚀刻从所述栅极腔(128)的底部移除所述第二衬里(134)，而留下在所述栅极腔(128)的侧壁(114)上的所述第二衬里(134)的材料。第二蚀刻从所述栅极腔(128)的所述底部移除由所述第二衬里(134)暴露的所述第一衬里(132)，而留下在所述栅极腔(128)的所述底部上在所述栅极腔(128)的所述侧壁(114)上的所述第二衬里(134)下方的所述第一衬里(132)的材料。第三蚀刻从所述栅极腔(128)移除所述第二衬里(134)，而留下在所述栅极腔(128)中的所述第一衬里(132)的L形间隔件(148)。在所述栅极腔(128)中形成永久栅极电介质层(156)及替换栅极(160)。

主权项

1.一种形成集成电路的方法，其包括以下步骤：/n提供包括半导体的衬底；/n移除安置于所述衬底上的第一牺牲栅极及第一牺牲栅极电介质层以在用于具有第一极性的第一MOS晶体管的区中形成第一栅极腔，且移除安置于所述衬底上的第二牺牲栅极及第二牺牲栅极电介质层以在用于具有第二相反极性的第二MOS晶体管的区中形成第二栅极腔；/n在保护性电介质层上方邻近于所述第一栅极腔及所述第二栅极腔形成电介质材料的第一衬里，所述第一衬里延伸到所述第一栅极腔及所述第二栅极腔中；/n在所述第一衬里上形成不同电介质材料的第二衬里，所述第二衬里延伸到所述第一栅极腔及所述第二栅极腔中；/n从所述第一栅极腔及所述第二栅极腔的底部移除所述第二衬里，而留下在所述第一衬里的垂直表面上在所述第一栅极腔及所述第二栅极腔中的所述第二衬里；/n从所述保护性电介质层的顶部表面以及从所述第一栅极腔及所述第二栅极腔的底部移除所述第一衬里以便暴露所述衬底；/n移除所述第一栅极腔及所述第二栅极腔中的所述第二衬里，而留下在所述第一栅极腔中的适当位置中的所述第一衬里作为第一L形间隔件且留下在所述第二栅极腔中的适当位置中的所述第一衬里作为第二L形间隔件；/n在所述衬底及所述第一栅极腔中的所述第一L形间隔件上形成第一永久栅极电介质层；/n在所述衬底及所述第二栅极腔中的所述第二L形间隔件上形成第二永久栅极电介质层；/n在所述第一永久栅极电介质层上形成第一替换栅极，所述第一永久栅极电介质层及所述第一替换栅极叠置于所述第一L形间隔件的接触所述衬底的一部分上；及/n在所述第二永久栅极电介质层上形成第二替换栅极，所述第二永久栅极电介质层及所述第二替换栅极叠置于所述第二L形间隔件的接触所述衬底的一部分上。/n