[发明专利]集成电路的多重精细印刷平面微细加工工艺在审
| 申请号： | 201910719115.9 | 申请日： | 2019-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN110534430A | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 刘本林;刘溪清;冯伟 | 申请（专利权）人： | 刘本林 |
| 主分类号： | H01L21/321 | 分类号： | H01L21/321;H01L21/265;H01L21/304 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 213026 江苏省常州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明在“写”技术基础上，提出了一系列的集成电路无蚀刻加工工艺。在静电复印技术基础上，引入了分步转印的方法，并且提出了由半导体材料通过离子注入方法制作分步转印所需要的电控模板的方法，还提出了离子束致爆炸打印方法。 | ||
| 搜索关键词： | 转印 半导体材料 静电复印技术 技术基础 蚀刻加工 离子束 电控 集成电路 离子 打印 引入 爆炸 制作 | ||
【主权项】：
1.一种基于离子束扫描加工的无刻蚀集成电路加工工艺，其特征为由PN结隔离的带电区构成的电控模板由P型离子扫描注入形成，具有爆炸颗粒的色带的爆炸转印由离子束扫描触发。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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