[发明专利]多晶硅反应炉底盘表面、其涂层缺陷的修复方法以及修复涂层在审
| 申请号： | 201910719786.5 | 申请日： | 2019-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN110369243A | 公开（公告）日： | 2019-10-25 |
| 发明（设计）人： | 黄仁忠;谢迎春;黄健;曾良;张科杰;王高民;张忠诚 | 申请（专利权）人： | 广东省新材料研究所 |
| 主分类号： | B05D5/00 | 分类号： | B05D5/00;B05D1/12;C01B33/035 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 覃蛟 |
| 地址： | 510000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及涂层修复领域，具体而言，涉及一种多晶硅反应炉底盘表面、其涂层缺陷的修复方法以及修复涂层。该多晶硅反应炉底盘表面涂层缺陷的修复方法，包括以下步骤：利用冷喷涂将修复粉末喷涂至基体的缺陷区域，修复粉末的平均粒径是10‑100微米；冷喷涂的工艺条件为：工作气体压力为1‑7MPa，工作气体温度为200‑1100℃，喷涂距离为10‑100毫米，喷枪移动速度为10‑800mm/s。该工艺旨在改善现有技术修复后的涂层厚度不能超过0.5毫米的问题，特别是修复后涂层与原涂层连接效果差的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 修复 底盘表面 涂层缺陷 多晶硅 反应炉 冷喷涂 工作气体压力 粉末喷涂 工艺条件 工作气体 喷涂距离 平均粒径 缺陷区域 涂层修复 喷枪 移动 | ||
【主权项】：
1.一种多晶硅反应炉底盘表面涂层缺陷的修复方法，其特征在于，包括以下步骤：利用冷喷涂将修复粉末喷涂至基体的缺陷区域，修复粉末的平均粒径是10‑100微米；冷喷涂的工艺条件为：工作气体压力为1‑7MPa，工作气体温度为200‑1100℃，喷涂距离为10‑100毫米，喷枪移动速度为10‑800mm/s。
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