[发明专利]一种基于GaN技术的工业电源在审
| 申请号： | 201910719917.X | 申请日： | 2019-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN110323269A | 公开（公告）日： | 2019-10-11 |
| 发明（设计）人： | 郭清腾;卡斯顿·比尔;卢凯;万锋 | 申请（专利权）人： | 厦门能瑞康电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 福州市博深专利事务所(普通合伙) 35214 | 代理人： | 林振杰 |
| 地址： | 361100 福建省厦门市同安*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种基于GaN技术的工业电源，通过在外延层中的外延扩散区的中心位置设置第一掺质区和设置的第三掺质区形成耗尽区，通过设置第四掺质区形成薄耗尽区，这样使得第一掺质区能够全部耗尽，形成了本征半导体的结构，能够提高耐压性和GaN晶体管的散热性；本方案设计的GaN晶体管，能够有效抑制功率开关的关断电压尖峰和降低GaN晶体管的关断损耗和开关噪声，进一步提升产品的开关频率，实现产品的高频化，且能够进一步减小产品尺寸，从而提高产品的功率密度。 | ||
| 搜索关键词： | 掺质区 工业电源 耗尽区 半导体技术领域 本征半导体 尖峰 方案设计 功率开关 关断电压 关断损耗 开关频率 开关噪声 有效抑制 高频化 扩散区 耐压性 散热性 外延层 减小 耗尽 | ||
【主权项】：
1.一种基于GaN技术的工业电源，其特征在于，包括GaN晶体管，所述GaN晶体管包括漏极金属层，在所述漏极金属层表面依次层叠设有外延层、氧化层和栅极金属层，所述外延层中形成有两个以上外延扩散区，所述外延扩散区在所述外延层中呈阵列排布；所述外延扩散区包括第一掺质区，所述第一掺质区位于所述外延扩散区的中心位置且将所述外延扩散区分成两个外延子扩散区，两个所述外延子扩散区中均设有第二掺质区、第三掺质区和第四掺质区，所述第三掺质区位于所述第二掺质区和第四掺质区之间。
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