[发明专利]半导体结构的形成方法

摘要

一种半导体结构的形成方法，包括：提供第一晶圆，第一晶圆包括第一基底以及位于第一基底表面的第一介质层，第一介质层内具有第一导电结构，第一介质层表面暴露出第一导电结构表面，第一晶圆包括相对的第一面和第二面，且第一面为第一介质层表面和暴露出的第一导电结构表面；对第一面进行第一表面处理，去除第一介质层表面的缺陷和第一导电结构表面的副产物；提供第二晶圆；在第一表面处理之后，将第一晶圆的第一面朝向第二晶圆进行键合。本发明的技术方案中，通过对第一晶圆进行第一表面处理，能够去除第一介质层表面的缺陷，同时还能够去除第一导电结构表面的副产物，有效简化了处理工艺，提高了处理效率。

主权项

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供第一晶圆，所述第一晶圆包括第一基底以及位于所述第一基底表面的第一介质层，所述第一介质层内具有第一导电结构，所述第一介质层表面暴露出所述第一导电结构表面，所述第一晶圆包括相对的第一面和第二面，且所述第一面为所述第一介质层表面和暴露出的所述第一导电结构表面；对所述第一面进行第一表面处理，去除所述第一介质层表面的缺陷和所述第一导电结构表面的副产物；提供第二晶圆；在所述第一表面处理之后，将所述第一晶圆的第一面朝向所述第二晶圆进行键合。