[发明专利]大马士革结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201910722117.3 | 申请日： | 2019-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN112349650A | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 平延磊;孟昭生;刘一剑 | 申请（专利权）人： | 芯恩（青岛）集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/532 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 266000 山东省青岛市*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种大马士革结构及其制备方法，大马士革结构包括：半导体衬底及位于半导体衬底上的介电层，半导体衬底包括金属导电层；通孔及沟槽，通孔及沟槽位于介电层中，且通孔显露金属导电层，通孔与沟槽相连通，通孔的宽度小于沟槽的宽度；石墨烯层，石墨烯层覆盖通孔及沟槽的底部及侧壁；金属层，金属层覆盖石墨烯层，且金属层填满通孔及沟槽。本发明通过制备包括石墨烯层的大马士革结构，以有效降低金属层的电迁移，可制备满足高节点的制程需要的大马士革结构。 | ||
| 搜索关键词： | 大马士革 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
