[发明专利]灰阶光罩及显示基板的制作方法有效
申请号: | 201910722806.4 | 申请日: | 2019-08-06 |
公开(公告)号: | CN110568718B | 公开(公告)日: | 2020-09-01 |
发明(设计)人: | 曹武 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | G03F1/32 | 分类号: | G03F1/32;G02F1/1339;G02F1/1333 |
代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人: | 林才桂;王中华 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种灰阶光罩及显示基板的制作方法。所述灰阶光罩包括透光区及包围所述透光区的遮光区,所述透光区包括依次排列的用于形成第一薄膜衬垫的第一透光区与用于形成第二薄膜衬垫的第二透光区,所述第一透光区完全透光,所述第二透光区部分透光;所述第一薄膜衬垫的厚度大于所述第二薄膜衬垫,且所述第二透光区经过防剥离处理,能够使得通过该第二透光区形成的第二薄膜衬垫的四角的厚度至少为其中心的厚度的60%,通过对第二透光区进行防剥离处理,能够有效提升第二薄膜衬垫的成膜稳定性,防止第二薄膜衬垫剥离。 | ||
搜索关键词: | 灰阶光罩 显示 制作方法 | ||
【主权项】:
1.一种灰阶光罩,其特征在于,包括透光区(31)及包围所述透光区(31)的遮光区(32),所述透光区(31)包括依次排列的用于形成第一薄膜衬垫(41)的第一透光区(311)与用于形成第二薄膜衬垫(42)的第二透光区(312),所述第一透光区(311)完全透光,所述第二透光区(312)部分透光;/n所述第一薄膜衬垫(41)的厚度大于所述第二薄膜衬垫(42),且所述第二透光区(312)经过防剥离处理,能够使得通过该第二透光区(312)形成的第二薄膜衬垫(42)的四角的厚度至少为其中心的厚度的60%。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电半导体显示技术有限公司,未经深圳市华星光电半导体显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910722806.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种影像扫描设备的光束调整装置
- 下一篇:OPC优化方法及掩膜版的制备方法
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备