[发明专利]一种集成电池保护电路的半导体结构及其制造工艺有效
| 申请号： | 201910722973.9 | 申请日： | 2019-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN110445099B | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 谭健;蒋锦茂 | 申请（专利权）人： | 苏州赛芯电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H02H7/18 | 分类号： | H02H7/18;H01L27/07 |
| 代理公司： | 上海硕力知识产权代理事务所(普通合伙) 31251 | 代理人： | 刘秋香 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市苏州工*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种集成电池保护电路的半导体结构及其制造工艺，所述电池保护电路包括集成于同一半导体衬底上的基本保护电路、栅极衬底控制电路和充放电控制MOS管；所述基本保护电路用于检测电池的充放电情况并向所述栅极衬底控制电路发送控制信号，所述栅极衬底控制电路根据所接收到的控制信号来控制所述充放电控制MOS管的开启和关断，从而对电池充放电进行控制；所述栅极衬底控制电路包括用于控制所述充放电控制MOS管的衬底电压的第一衬底切换MOS管和第二衬底切换MOS管。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成 电池 保护 电路 半导体 结构 及其 制造 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种集成电池保护电路的半导体结构，其特征在于，所述电池保护电路包括集成于同一半导体衬底上的基本保护电路、栅极衬底控制电路和充放电控制MOS管；所述基本保护电路用于检测电池的充放电情况并向所述栅极衬底控制电路发送控制信号，所述栅极衬底控制电路根据所接收到的控制信号来控制所述充放电控制MOS管的开启和关断，从而对电池充放电进行控制；所述栅极衬底控制电路包括用于控制所述充放电控制MOS管的衬底电压的第一衬底切换MOS管和第二衬底切换MOS管。
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