[发明专利]一种用于反应釜的宽禁带半导体纳米瓷釉及搪烧方法在审
申请号: | 201910723191.7 | 申请日: | 2019-08-06 |
公开(公告)号: | CN110255907A | 公开(公告)日: | 2019-09-20 |
发明(设计)人: | 刘勇;隋永臣;王惠君 | 申请(专利权)人: | 淄博中升机械有限公司 |
主分类号: | C03C8/02 | 分类号: | C03C8/02;C03C8/14 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 255000 山*** | 国省代码: | 山东;37 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种用于反应釜的宽禁带半导体纳米瓷釉材料,它是由如下重量份数的组分组成:基体剂30~35份,助溶剂12~16份,乳浊剂2~5份,密着剂3~5份,宽禁带半导体纳米粉体30~35份,石墨烯0.2~1份,纳米银粉2~4份。本发明提供的用于反应釜的宽禁带半导体纳米瓷釉及搪烧方法,宽禁带半导体纳米瓷釉,搪烧在食品、制药行业所用反应釜内表面上,由于纳米离子在罐体内产生的负离子微循环气氛,使得反应过程高效、优质、敏捷,达到和超过食品和制药所要求的效果。 | ||
搜索关键词: | 宽禁带半导体 反应釜 瓷釉 搪烧 微循环 纳米粉体 纳米离子 纳米银粉 制药行业 重量份数 负离子 基体剂 密着剂 内表面 乳浊剂 石墨烯 助溶剂 制药 体内 | ||
【主权项】:
1.一种用于反应釜的宽禁带半导体纳米瓷釉材料,其特征在于:它是由如下重量份数的组分组成:基体剂30~35份,助溶剂12~16份,乳浊剂2~5份,密着剂3~5份,宽禁带半导体纳米粉体30~35份,石墨烯0.2~1份,纳米银粉2~4份。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于淄博中升机械有限公司,未经淄博中升机械有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910723191.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种负离子厚抛釉及其加工方法
- 下一篇:釉料、陶瓷制品及相应的制备方法和应用