[发明专利]一种用于反应釜的宽禁带半导体纳米瓷釉及搪烧方法在审

专利信息
申请号: 201910723191.7 申请日: 2019-08-06
公开(公告)号: CN110255907A 公开(公告)日: 2019-09-20
发明(设计)人: 刘勇;隋永臣;王惠君 申请(专利权)人: 淄博中升机械有限公司
主分类号: C03C8/02 分类号: C03C8/02;C03C8/14
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 255000 山*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明公开了一种用于反应釜的宽禁带半导体纳米瓷釉材料,它是由如下重量份数的组分组成:基体剂30~35份,助溶剂12~16份,乳浊剂2~5份,密着剂3~5份,宽禁带半导体纳米粉体30~35份,石墨烯0.2~1份,纳米银粉2~4份。本发明提供的用于反应釜的宽禁带半导体纳米瓷釉及搪烧方法,宽禁带半导体纳米瓷釉,搪烧在食品、制药行业所用反应釜内表面上,由于纳米离子在罐体内产生的负离子微循环气氛,使得反应过程高效、优质、敏捷,达到和超过食品和制药所要求的效果。
搜索关键词: 宽禁带半导体 反应釜 瓷釉 搪烧 微循环 纳米粉体 纳米离子 纳米银粉 制药行业 重量份数 负离子 基体剂 密着剂 内表面 乳浊剂 石墨烯 助溶剂 制药 体内
【主权项】:
1.一种用于反应釜的宽禁带半导体纳米瓷釉材料,其特征在于:它是由如下重量份数的组分组成:基体剂30~35份,助溶剂12~16份,乳浊剂2~5份,密着剂3~5份,宽禁带半导体纳米粉体30~35份,石墨烯0.2~1份,纳米银粉2~4份。
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