[发明专利]一种ZnO@NC@CP纳米阵列柔性电极材料的制备方法有效

专利信息
申请号: 201910723499.1 申请日: 2019-08-07
公开(公告)号: CN110429273B 公开(公告)日: 2022-04-12
发明(设计)人: 詹红兵;祝雪双;陈奇俤;蔡道平 申请(专利权)人: 福州大学
主分类号: H01M4/48 分类号: H01M4/48;H01M4/62;H01M4/66
代理公司: 福州元创专利商标代理有限公司 35100 代理人: 林文弘;蔡学俊
地址: 350108 福建省福州市闽*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明提供一种ZnO@NC@CP纳米阵列柔性电极材料的制备方法,以商业化纸巾为基底采用溶液法制备ZIF‑8纳米阵列,并通过较低的温度碳化得到ZnO纳米阵列电极。所制电极具有轻质、柔性、廉价等优点,这种ZnO纳米材料具有片状结构,排列密集拥有较好的锂电性能。
搜索关键词: 一种 zno nc cp 纳米 阵列 柔性 电极 材料 制备 方法
【主权项】:
1.一种ZnO@NC@CP纳米阵列柔性电极材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:S1:以纸巾为基底,采用吡咯在有机/无机界面低温界面聚合的方法制备导电聚吡咯包覆纸,其中,无机相为三氯化铁与对甲苯磺酸混合分散在去离子水中得到,有机相为吡咯单体溶于环己烷中得到;S2:以导电聚吡咯包覆纸为基底,将基底浸入含有六水合硝酸锌与2‑甲基咪唑的水溶液中静置一段时间,通过溶液法自生长ZIF‑8纳米阵列,得到ZIF‑8@PPy@Paper,并依次用去离子水、乙醇清洗后做干燥处理;S3:将步骤S2获得的材料在保护气体下进行碳化处理,得到ZnO@NC@CP纳米阵列柔性电极。
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