[发明专利]一种基于二氧化钒的宽带可调谐太赫兹吸收体及其制备方法在审
| 申请号： | 201910723670.9 | 申请日： | 2019-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN110429388A | 公开（公告）日： | 2019-11-08 |
| 发明（设计）人： | 白晋军;张曙升;范飞;王莎莎;孙晓东;苗银萍;常胜江 | 申请（专利权）人： | 天津工业大学 |
| 主分类号： | H01Q17/00 | 分类号： | H01Q17/00;H05K9/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300387 *** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于二氧化钒的宽带可调谐太赫兹吸收体及其制备方法。所述的太赫兹吸收体单元横截面为正方形，自下而上依次由基底层，复合结构层，介质层，金属结构层组成。所述的复合结构层是由嵌入相变材料方框结构的介质层组成，所述的金属结构层是由金属方框和金属块嵌套而成。本发明利用谐振结构在纵向上的空间叠加，实现了对太赫兹波的宽带吸收，通过温度、光照等外部激励可以改变复合结构层中相变材料的电导率，完成对太赫兹波吸收效率的调制。 | ||
| 搜索关键词： | 复合结构层 吸收体 金属结构层 二氧化钒 太赫兹波 相变材料 介质层 可调谐 宽带 制备 嵌套 电导率 单元横截面 方框结构 金属方框 空间叠加 宽带吸收 外部激励 吸收效率 谐振结构 基底层 金属块 调制 嵌入 光照 | ||
【主权项】：
1.本发明公开了一种基于二氧化钒的宽带可调谐太赫兹吸收体及其制备方法。其特征在于所述的太赫兹吸收体单元横截面为正方形，自下而上依次由基底层，复合结构层，介质层，金属结构层组成。所述的复合结构层是由嵌入相变材料方框结构的介质层组成，所述的金属结构层是由金属方框和金属方块嵌套而成。
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