[发明专利]半导体器件及其结边缘区有效
| 申请号： | 201910724064.9 | 申请日： | 2019-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN110556427B | 公开（公告）日： | 2021-01-08 |
| 发明（设计）人： | 杜文芳 | 申请（专利权）人： | 南京芯舟科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/40 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人： | 亓赢 |
| 地址： | 210000 江苏省南京市浦口区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请是一种半导体器件及其结边缘区，所述结边缘区包括同导体类型叠层结构的半导体衬底及其上方的外延层，半导体衬底及外延层之间设有多数个间隔设置有浮空区，外延层邻接有源区部位的表面设有过渡区，半导体衬底另设有半导体区。本申请将浮空区埋于所述半导体器件中，以分散外加电压降低电场集中之外，较能避免表面电荷改变了结边缘的电场分布而导致击穿电压的改变，进而提升器件的可靠性和一致性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 边缘 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的终端区，其特征在于，所述终端区包括：/n第一导电类型的半导体衬底；/n第一导电类型的外延层，邻接设置在所述半导体衬底的上方；/n第二导电类型的过渡区，设置在所述外延层表面邻接有源区的部位；/n第二导电类型的多数个浮空区，分隔设置于所述半导体衬底与所述外延层之间；/n绝缘介质，设置于所述外延层表面；以及/n半导体区，设置于所述半导体衬底的底部。/n
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