[发明专利]一种高效单晶硅片切割工艺

摘要

本发明涉及一种高效单晶硅片切割工艺，利用切割机对单晶硅锭进行切片加工具体步骤：检查硅锭并清洁，将固定有硅锭的导轨推入工件台内，夹紧；确保硅锭导轨的V型槽在左侧，方向固定后夹紧，此时硅锭会朝固定方向轻微倾斜。在放线轴和收线轴之间布好金刚线切割线网，切割前将放线轴钢线移至相邻的工作区，工作区排线为单层排线，切割过程使用工作区的单层拍线切割。设定运行参数，采用双向走线的方式，对硅锭进行来回切割加工，整体切割耗时在90min以内，下料，检查硅片切割状况。本发明工艺耗能低，切割硅片的成本低廉，提高了切割效率，保证了单晶硅片的品质，具有良好的产业化。

主权项

1.一种高效单晶硅片切割工艺，其特征在于，利用切割机对单晶硅锭进行切片加工，具体包括以下步骤：步骤1，对硅锭进行常规检查，清洁，备用；步骤2，将清洁后硅锭固定在导轨上，再推入移动工作台内，确保硅锭导轨的V型槽在切割机中门的左侧，设定切割高度为160‑170mm；步骤3，在切割机的移动工作台的两侧分别放置放线轴和收线轴，同时，在放线轴和收线轴之间布好张力为7‑7.5N的金刚线切割线网，所述金刚线切割线网为单层排线，减少金钢线磨损；步骤4，采用双向走线的方式，对硅锭进行来回切割加工，刚开始切割时，控制送线距离/金刚线运行速度＞1mm/移动工作台运行速度，即保证从放线轴的滑轮上引出的金刚线刚触碰金刚线切割线网时，切割方向为从左向右切割，降低硅片TTV或进刀厚薄，当切割深度达到2%时，此时金刚线切割线网全为新线，切割力较强，通过增加设定移动工作台的运行速度，快速切割，降低金钢线磨损状况，当切割深度达到80%时，此时线网磨损较大，线弓较大，降低移动工作台的运行速度，拉平金刚线切割线网，保证切割过程耗时在90min以内；所述移动工作台的运行速度为0.2mm/min ‑3mm/min，金刚线的运行速度为10m/s‑30m/s；金刚线的运行加速度8m/s²；步骤5，下料，检查硅片切割状况，并将工作区切割的旧线移至收线轴。