[发明专利]一种应用于超低TTV单晶硅片的切割方法在审
申请号: | 201910724703.1 | 申请日: | 2019-08-07 |
公开(公告)号: | CN110497544A | 公开(公告)日: | 2019-11-26 |
发明(设计)人: | 王嘉;周炎 | 申请(专利权)人: | 江苏高照新能源发展有限公司 |
主分类号: | B28D5/04 | 分类号: | B28D5/04;B28D7/00 |
代理公司: | 32200 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人: | 楼高潮<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
地址: | 212215 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种应用于超低TTV单晶硅片的切割方法,所述方法包括如下步骤:先清洗机台并设定切割高度,再布置线网同时设置运行参数,采用反向走线的方式,对硅锭进行切割加工,当切割高度达到设定高度的30%时,再采用正向走线的方式继续对硅锭进行切割加工,直至切割完成,取下硅锭。本发明的切割方法通过改变切割过程中不同阶段的金刚线走线方式,有效平衡了送返线比例和金刚线磨损度之间的关系,既保证了送返线之间比例,确保金刚线磨损均匀,又保证了切割的后半程硅锭能够被完全切透,从而有效的控制住了TTV,提升了良品率。 | ||
搜索关键词: | 切割 硅锭 金刚线 切割加工 走线 单晶硅片 切割过程 清洗机台 有效平衡 运行参数 走线方式 良品率 磨损度 取下 线网 正向 磨损 保证 应用 | ||
【主权项】:
1.一种应用于超低TTV单晶硅片的切割方法,其特征在于,包括以下步骤:/n步骤1)清洗机台:清洗金刚线切割机的工作台,检查并清洁预处理的硅锭,设定切割高度;/n步骤2)布置线网:在放线轴和收线轴之间布置好金刚线切割线网;/n步骤3)设定运行参数:在切割过程中,所述工作台带动工件的运行速度为500~2300μm/min,所述金刚线的线速度为800~1380m/min;/n步骤4)切割硅锭:先采用反向走线的方式,对所述硅锭进行切割加工,当切割高度达到设定高度的30%时,再采用正向走线的方式继续对硅锭进行切割加工,直至切割完成,取下硅锭。/n
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