[发明专利]用于后制作通孔的贯通孔的方法和装置

摘要

本发明提供了用于形成后制作通孔的贯通孔的方法。一种方法包括提供具有正面和相对的背面的有源器件晶圆，该正面包括设置在介电层中的导电互连材料；提供具有填充有氧化物的通孔的载具晶圆，该通孔从载具晶圆的第一表面延伸至载具晶圆的第二表面；将有源器件晶圆的正面接合至载具晶圆的第二表面；蚀刻载具晶圆的贯通孔中的氧化物以形成氧化物贯通孔；以及在氧化物贯通孔内沉积导电材料以形成导体，该导体延伸至有源器件晶圆并且与导电互连材料电接触。一种装置包括具有氧化物贯通孔的载具晶圆，该氧化物贯通孔延伸穿过载具晶圆到达与载具晶圆接合的有源器件晶圆。本发明还提供了用于后制作通孔的贯通孔的装置。

主权项

1.一种制造半导体装置的方法，包括：/n在载具晶圆中形成至少一个通孔，其中，所述载具晶圆包括彼此相对的第一侧和第二侧，并且所述通孔包括分别位于所述第一侧和所述第二侧的第一端和第二端；/n用氧化物填充所述至少一个通孔；/n将所述载具晶圆安装至第二晶圆，使得所述载具晶圆的第二侧接合所述第二晶圆；/n穿过填充所述至少一个通孔的所述氧化物蚀刻贯通孔，以形成氧化物贯通孔，其中，所述氧化物贯通孔包括与所述第一端重合的第三端和位于所述第二晶圆中的第四端，所述第一端的宽度与所述第三端的宽度相同，并且所述第二端的宽度大于所述第一端、所述第三端和所述第四端的宽度；以及/n用导体填充所述氧化物贯通孔。/n