[发明专利]基于磁路耦合的非接触式超导磁体主动释能装置及方法有效
| 申请号： | 201910725587.5 | 申请日： | 2019-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN110428949B | 公开（公告）日： | 2020-12-29 |
| 发明（设计）人： | 王子豪;盛杰;黄振;杨平 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | H01F6/00 | 分类号： | H01F6/00;H01F6/04;H01F6/06 |
| 代理公司： | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人： | 庄文莉 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基于磁路耦合的非接触式超导磁体主动释能装置及方法，包括：超导磁体回路、耦合释能回路；所述超导磁体回路包括：超导磁体；所述耦合释能回路包括：金属耦合层；所述金属耦合层紧靠所述超导磁体。本发明基于磁路耦合的原理，通过设计金属耦合层形式的超导磁体冷屏或者支撑骨架，实现了不影响超导磁体正常工作状态并能在失超或者对磁体进行主动去磁时有效释放超导磁体部分能量的作用，可有效减少超导磁体在失超或者主动去磁情况下的热量耗散、减小电动力、降低磁体损坏的风险。此方法投入成本小，可靠性高，可应用于实际工程中，为超导磁体的安全运行起到保护作用。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 磁路 耦合 接触 超导 磁体 主动 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于磁路耦合的非接触式超导磁体主动释能装置，其特征在于，包括：超导磁体回路、耦合释能回路；所述超导磁体回路包括：超导磁体；所述耦合释能回路包括：金属耦合层；所述金属耦合层紧靠所述超导磁体。
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