[发明专利]一种具有恢复特性的复合二极管结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201910725843.0 | 申请日： | 2019-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN110518013B | 公开（公告）日： | 2021-08-10 |
| 发明（设计）人： | 饶祖刚;王民安;项建辉;郑科峰 | 申请（专利权）人： | 黄山芯微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/07 | 分类号： | H01L27/07;H01L29/32;H01L21/82 |
| 代理公司： | 芜湖众汇知识产权代理事务所(普通合伙) 34128 | 代理人： | 曹宏筠 |
| 地址： | 245000 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有超快恢复特性的复合二极管结构及其制造方法，该二极管包括N+衬底，位于N+衬底背面的金属化阴极和位于N+衬底正面的N型外延层；所述N型外延层上设置有一组向N型外延层内延伸的P区，所述P区在硅片有源区的N型外延层上均匀分布；相邻P区之间的N型外延层表面设置有一层采用等离子体轰击方式形成的缺陷层，所述P区和缺陷层上设置有一层肖特基势垒金属，肖特基势垒金属上设置有金属化阳极。该器件结构及其制造方法简单且易于实现，能够获得更快的恢复时间，降低器件的开关功耗，可以用于制造具有超快恢复特性的复合二极管(MPS)领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 恢复 特性 复合 二极管 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有超快恢复特性的复合二极管结构，包括N+衬底(109)，位于N+衬底(109)背面的金属化阴极(108)和位于N+衬底(109)正面的N型外延层(100)；其特征在于：所述N型外延层(100)上设置有一组向N型外延层(100)内延伸的P区(103)，所述P区(103)在N型外延层(100)上均匀分布；相邻P区(103)之间的N型外延层(100)表面设置有一层采用等离子体轰击方式形成的缺陷层(105)，所述P区(103)和缺陷层(105)上设置有一层肖特基势垒金属(106)，所述肖特基势垒金属(106)与N型外延层(100)上的缺陷层(105)间设置有肖特基势垒结(111)，肖特基势垒金属(106)上设置有金属化阳极(107)。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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