[发明专利]等离子体生成装置,包括该装置的基板处理装置,以及等离子体生成装置的控制方法在审

专利信息
申请号: 201910725903.9 申请日: 2019-08-07
公开(公告)号: CN110828275A 公开(公告)日: 2020-02-21
发明(设计)人: 奥格森·加尔斯蒂安;金荣斌;具滋明;安宗焕 申请(专利权)人: 细美事有限公司
主分类号: H01J37/32 分类号: H01J37/32;H01L21/67
代理公司: 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 代理人: 申健
地址: 韩国忠清南道天安*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种基板处理装置包括:腔室,腔室中具有在其中处理基板的空间;支承腔室中的基板的支承单元;将气体供应到腔室中的气体供应单元;以及将腔室中的气体激发至等离子体状态的等离子体生成单元。等离子体生成单元包括:高频电源;连接至高频电源的一端的第一天线;与第一天线并联连接的第二天线;以及将电流分配至第一天线和第二天线的分流器。分流器包括:设置在第一天线和第二天线之间的第一电容器;与第二天线并联连接的第二电容器;以及与第二天线串联连接的第三电容器。第二电容器和第三电容器用可变电容器来实施。
搜索关键词: 等离子体 生成 装置 包括 处理 以及 控制 方法
【主权项】:
暂无信息
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