[发明专利]一种高线性可变增益放大器

摘要

本发明公开了一种可变增益放大器，所述增益放大器包括输入PMOS差分晶体管MP1和MP2，负载电流源I_L1、I_L2和I_R，负载晶体管MP3、MP4、MP5和MP6，共源共栅晶体管MN1、MN2、MN3和MN4。本发明采用负载跨导降低技术，使得输出阻抗显著增加，基于单级运放结构能够获得高增益的特性。本发明结合时间增益补偿技术，能够实现高线性的可变增益放大器。本发明相对于传统的可变增益放大器而言，电压增益范围更大，结构简单，功耗较低。

主权项

1.一种可变增益放大器，其特征在于所述增益放大器包括输入PMOS差分晶体管MP1和MP2，负载电流源I_L1、I_L2和I_R，负载晶体管MP3、MP4、MP5和MP6，共源共栅晶体管MN1、MN2、MN3和MN4，其中：/n所述负载电流源I_L1的一端接电源VCC，另一端接输入PMOS差分晶体管MP1的源极，同时接输入PMOS差分晶体管MP2的源极；/n所述输入PMOS差分晶体管MP1的栅极接输入信号Vip，漏极接共源共栅晶体管MN1的源极，同时接共源共栅晶体管MN3的漏极；/n所述输入PMOS差分晶体管MP2的栅极接输入信号Vin，漏极接共源共栅晶体管MN2的源极，同时接共源共栅晶体管MN4的漏极；/n所述共源共栅晶体管MN3的源极接地，栅极同共源共栅晶体管MN4的栅极相连，同时与共源共栅晶体管MN1的漏极、负载晶体管MP3的栅极和漏极、负载晶体管MP4的漏极和MP5的栅极相连；/n所述共源共栅晶体管MN4的源极接地，漏极同共源共栅晶体管MN2的源极相连；/n所述共源共栅晶体管MN1的栅极与共源共栅晶体管MN2的栅极相连，同时接偏置电压Vb；/n所述共源共栅晶体管MN2的漏极接输出Vout，同时与负载晶体管MP6的栅极和漏极、负载晶体管MP5的漏极和MP4的栅极相连；/n所述负载晶体管MP3的源极同负载晶体管MP6的源极相连，同时与负载电流源I_R的一端相连；/n所述负载电流源I_R的另一端接电源VCC；/n所述负载晶体管MP4的源极同负载晶体管MP5的源极相连，同时与负载电流源I_L2的一端相连；/n所述负载电流源I_L2的另一端接电源VCC。/n