[发明专利]一种三独立栅FinFET器件

摘要

本发明公开勒一种三独立栅FinFET器件，包括衬底、绝缘层、源极、沟道、漏极、背栅电极、前栅电极、顶栅电极、第一栅氧化层、第二栅氧化层和第三栅氧化层，衬底和绝缘层均为长方体结构，源极、沟道和漏极按照从右到左的顺序依次设置在绝缘层上表面，源极、沟道和漏极分别采用T型结构实现；优点是可以代替原本复杂的“与或非”门结构，采用该三独立栅FinFET器件实现具有三输入多数功能的逻辑电路时，只需要采用一个N型三独立栅FinFET器件和P型三独立栅FinFET器件，由此可以使具有三输入多数功能的逻辑电路采用的晶体管数量较少，结构简单，硬件消耗面积减少，功耗较低，延迟较小。

主权项

1.一种三独立栅FinFET器件，其特征在在于包括衬底、绝缘层、源极、沟道、漏极、背栅电极、前栅电极、顶栅电极、第一栅氧化层、第二栅氧化层和第三栅氧化层；/n所述的衬底和所述的绝缘层均为长方体结构，所述的绝缘层设置在所述的衬底上表面，所述的衬底的前端面和所述的绝缘层的前端面位于同一平面，所述的衬底的后端面和所述的绝缘层的后端面位于同一平面，所述的衬底的左端面和所述的绝缘层的左端面位于同一平面，所述的衬底的右端面和所述的绝缘层的右端面位于同一平面；/n所述的源极、所述的沟道和所述的漏极按照从右到左的顺序依次设置在所述的绝缘层上表面；所述的源极采用T型结构实现，所述的源极包括沿水平方向设置的第一矩形块和沿竖直方向设置的第二矩形块，所述的第一矩形块的下端面与所述的第二矩形块的上端面贴合连接，所述的第二矩形块的下端面与所述的绝缘层的上端面贴合连接，所述的第一矩形块的右端面、所述的第二矩形块的右端面和所述的绝缘层的右端面位于同一平面，所述的第一矩形块的左端面和所述的第二矩形块的左端面位于同一平面，所述的第一矩形块的前端面与所述的绝缘层的前端面位于同一平面，所述的第一矩形块的后端面与所述的绝缘层的后端面位于同一平面，所述的第一矩形块沿前后方向的长度大于所述的第二矩形块沿前后方向的长度，所述的第二矩形块的前端面所在平面与所述的第一矩形块的前端面所在平面之间的距离等于所述的第二矩形块的后端面所在平面与所述的第一矩形块的后端面所在平面之间的距离。/n所述的沟道采用T型结构实现，所述的沟道包括沿水平方向设置的第三矩形块和沿竖直方向设置的第四矩形块，所述的第三矩形块的下端面与所述的第四矩形块的上端面贴合连接，所述的第四矩形块的下端面与所述的绝缘层的上端面贴合连接，所述的第三矩形块的右端面与所述的第一矩形块的左端面贴合连接，所述的第四矩形块的右端面和所述的第二矩形块的左端面贴合连接，所述的第三矩形块的前端面与所述的第一矩形块的前端面位于同一平面，所述的第三矩形块的后端面与所述的第一矩形块的后端面位于同一平面，所述的第四矩形块的前端面与所述的第二矩形块的前端面位于同一平面，所述的第四矩形块的后端面与所述的第二矩形块的后端面位于同一平面，所述的第三矩形块的上端面与所述的第一矩形块的上端面位于同一平面，所述的第三矩形块的下端面与所述的第一矩形块的下端面位于同一平面；/n所述的漏极采用T型结构实现，所述的漏极包括沿水平方向设置的第五矩形块和沿竖直方向设置的第六矩形块，所述的第五矩形块的下端面与所述的第六矩形块的上端面贴合连接，所述的第六矩形块的下端面与所述的绝缘层的上端面贴合连接，所述的第五矩形块的右端面与所述的第三矩形块的左端面贴合连接，所述的第六矩形块的右端面和所述的第四矩形块的左端面贴合连接，所述的第五矩形块的前端面与所述的第三矩形块的前端面位于同一平面，所述的第五矩形块的后端面与所述的第三矩形块的后端面位于同一平面，所述的第六矩形块的前端面与所述的第四矩形块的前端面位于同一平面，所述的第六矩形块的后端面与所述的第四矩形块的后端面位于同一平面，所述的第五矩形块的上端面与所述的第三矩形块的上端面位于同一平面，所述的第五矩形块的下端面与所述的第三矩形块的下端面位于同一平面，所述的第五矩形块的左端面、所述的第六矩形块的左端面与所述的绝缘层的左端面位于同一平面；/n所述的第一栅氧化层包括第七矩形块和第八矩形块，所述的第七矩形块和所述的第八矩形块位于所述的第四矩形块的后侧，所述的第七矩形块的上端面与所述的第三矩形块的下端面贴合连接，所述的第七矩形块的前端面与所述的第四矩形块的后端面贴合连接，所述的第七矩形块的后端面与所述的第三矩形块的后端面位于同一平面，所述的第七矩形块沿左右方向的长度小于所述的第三矩形块沿左右方向的长度，所述的第七矩形块的左端面所在平面和所述的第三矩形块的左端面所在平面之间的距离等于所述的第七矩形块的右端面所在平面和所述的第三矩形块的右端面所在平面之间的距离，所述的第八矩形块的前端面与所述的第七矩形块的前端面位于同一平面，所述的第八矩形块的前端面与所述的第四矩形块的后端面贴合连接，所述的第八矩形块的上端面与所述的第七矩形块的下端面贴合连接，所述的第八矩形块的下端面与所述的绝缘层的上端面贴合连接，所述的第八矩形块的左端面与所述的第七矩形块的左端面位于同一平面，所述的第八矩形块的右端面与所述的第七矩形块的右端面位于同一平面，所述的第八矩形块沿前后方向的长度小于所述的第七矩形块沿前后方向的长度；/n所述的背栅电极为矩形块，所述的背栅电极的上端面与所述的第七矩形块的下端面贴合连接，所述的背栅电极的前端面与所述的第八矩形块的后端面贴合连接，所述的背栅电极的下端面与所述的绝缘层的上端面贴合连接，所述的背栅电极的左端面与所述的第七矩形块的左端面位于同一平面，所述的背栅电极的右端面与所述的第七矩形块的右端面位于同一平面，所述的背栅电极的后端面与所述的第七矩形块的后端面位于同一平面；/n所述的第二栅氧化层的结构与所述的第一栅氧化层的结构相对于所述的第三矩形块沿左右方向的中心平面对称，所述的前栅电极的结构与所述的背栅电极的结构相对于所述的第三矩形块沿左右方向的中心平面对称；/n所述的第三栅氧化层为矩形块，所述的第三栅氧化层的下端面与所述的第三矩形块的上端面贴合连接，所述的第三栅氧化层的前端面与所述的第三矩形块的前端面位于同一平面，所述的第三栅氧化层的后端面与所述的第三矩形块的后端面位于同一平面，所述的第三栅氧化层的左端面与所述的第七矩形块的左端面位于同一平面，所述的第三栅氧化层的右端面与所述的第七矩形块的右端面位于同一平面；所述的顶栅电极为矩形块，所述的顶栅电极的下端面与所述的第三栅氧化层的上端面贴合连接，所述的顶栅电极的前端面与所述的第三栅氧化层的前端面位于同一平面，所述的顶栅电极的后端面与所述的第三栅氧化层的后端面位于同一平面，所述的顶栅电极的左端面与所述的第三栅氧化层的左端面位于同一平面，所述的顶栅电极的右端面与所述的第三栅氧化层的右端面位于同一平面。/n