[发明专利]一种高压MOSFET驱动电路

摘要

本发明提供了一种高压MOSFET驱动电路，包括MOSFET模块、MOSFET驱动模块、光耦模块、LDO模块；所述MOSFET模块与MOSFET驱动模块连接；所述光耦模块与LDO模块连接，且二者均与MOSFET驱动模块连接；其中：所述光耦模块包括：第一电阻、第二电阻、光耦；所述LDO电路包括：第四电阻、第五电阻、第六电阻、第六电容、第七电容、第八电容、第九电容、第一二级管、低压差线性稳压器。本发明解决了氮化镓大功率管的高电压漏控供电困难的问题，且适用于多个雷达型号TR组件的漏控需求，其驱动能力强、开关速度快，具有良好的可靠性，可显著缩短产品研制周期。

主权项

1.一种高压MOSFET驱动电路，包括MOSFET模块、MOSFET驱动模块，其特征在于，还包括：光耦模块、LDO模块；所述MOSFET模块与MOSFET驱动模块连接；所述光耦模块与LDO模块连接，且二者均与MOSFET驱动模块连接；其中：所述光耦模块包括：第一电阻、第二电阻、光耦；所述第一电阻的第一端与输入高电压Vin连接，第一电阻的第二端与光耦的第四端连接，第二电阻的第一端与控制电源Vcc连接，第二电阻的第二端与光耦的第一端连接，光耦的第二端输入脉冲控制TTL电平，光耦的第三端分别与MOSFET驱动模块和LDO模块连接；所述LDO电路包括：第四电阻、第五电阻、第六电阻、第六电容、第七电容、第八电容、第九电容、第一二级管、低压差线性稳压器；所述第六电容的第一端与输入高电压Vin连接，第六电容的第二端与地连接，第九电容的第一端分别与低压差线性稳压器的第一端和第二端连接，第九电容的第二端与地连接；低压差线性稳压器的第三端与地连接，第四电阻的第一端与低压差线性稳压器的第四端连接，第四电阻的第二端与低压差线性稳压器的第五端和第五电阻的第一端连接，第五电阻的第二端与第六电阻的第一端连接，第六电阻的第二端接地；第一二级管的阳极分别与第七电容的第一端、第八电容的第一端连接，第七电容的第二端、第八电容的第二端均与地连接；所述第一二极管的阳极和阴极均与所述MOSFET驱动模块连接；所述光耦的第三端与所述第一二极管的阴极连接。