[发明专利]基于SiC功率器件的三电平牵引功率模块及逆变电路有效

专利信息
申请号: 201910729300.6 申请日: 2019-08-08
公开(公告)号: CN110323954B 公开(公告)日: 2020-11-03
发明(设计)人: 李华;曹虎;毕京斌;王梦谦 申请(专利权)人: 中车青岛四方车辆研究所有限公司
主分类号: H02M7/00 分类号: H02M7/00;H02M7/483;H02M7/5387;H02M1/088;H05K7/20
代理公司: 青岛清泰联信知识产权代理有限公司 37256 代理人: 张媛媛
地址: 266031 山*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明涉及一种基于SiC功率器件的三电平牵引功率模块及逆变电路,逆变主电路采用I型三电平逆变桥结构,牵引功率模块自上而下依次集成有控制器、支撑电容模块、叠层母排、驱动模块、SiC功率模块以及散热片;SiC功率模块采用SiC‑MOSFET与SiC‑DIODE功率器件,所述驱动模块与所述SiC功率模块连接,所述控制器与所述驱动模块连接,以控制所述SiC功率模块的通断;所述支撑电容模块与所述SiC功率模块连接,所述SiC功率模块固定连接有散热片。本发明的牵引功率模块采用集成化、系统化设计,利用SiC功率器件的高频、高温特性,有效降低模块的体积与重量,牵引功率模块相比传统基于Si器件的功率模块各方面性能得到大大提高。
搜索关键词: 基于 sic 功率 器件 电平 牵引 模块 电路
【主权项】:
1.一种基于SiC功率器件的三电平牵引功率模块,牵引逆变主电路采用I型三电平逆变桥结构;其特征在于,牵引功率模块自上而下依次集成有控制器、支撑电容模块、叠层母排、驱动模块、SiC功率模块以及散热片;SiC功率模块采用SiC‑MOSFET与SiC‑DIODE功率器件,所述驱动模块与所述SiC功率模块连接,所述控制器与所述驱动模块连接,以控制所述SiC功率模块的通断;所述支撑电容模块与所述SiC功率模块连接,所述SiC功率模块与所述散热片固定连接。
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