[发明专利]发光二极管外延片及其生长方法、发光二极管、显示装置在审
| 申请号： | 201910729686.0 | 申请日： | 2019-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN110416374A | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | 林志伟;陈凯轩;曲晓东;赵斌;蔡建九 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/30;H01L33/00;H01L33/32 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361001 福建省厦门市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供了发光二极管外延片及其生长方法、发光二极管、显示装置，包括衬底、及依次层叠于所述衬底上表面的第一型导电层、有源层和第二型导电层，所述有源层包括n个依次堆叠的周期单元，所述周期单元包括量子垒层、量子阱层及设置在所述量子阱层的至少一表面的界面调节层；所述界面调节层包括Te掺杂的Ⅲ‑Ⅴ族化合物层。使所述界面调节层、量子阱层的金属原子与Te元素通过键合形成晶体结构，能够有效地钝化量子阱层表面、减少其表面缺陷，从而减小量子垒层与量子阱层之间的晶格失配。其次，能使所述量子阱层表面的宽度增加，使更多的载流子被俘获到量子阱层内，提升辐射复合效率，从提高发光二极管的亮度。 | ||
| 搜索关键词： | 量子阱层 发光二极管 界面调节 发光二极管外延 量子垒层 显示装置 周期单元 导电层 源层 载流子 辐射复合效率 衬底上表面 表面缺陷 金属原子 晶格失配 晶体结构 宽度增加 依次层叠 族化合物 掺杂的 有效地 生长 衬底 堆叠 钝化 减小 键合 | ||
【主权项】：
1.发光二极管外延片，包括衬底、及依次层叠于所述衬底上表面的第一型导电层、有源层和第二型导电层，其特征在于，所述有源层包括n个依次堆叠的周期单元，所述周期单元包括量子垒层、量子阱层及设置在所述量子阱层的至少一表面的界面调节层；所述界面调节层包括Te掺杂的Ⅲ‑Ⅴ族化合物层。
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