[发明专利]包括电荷存储装置和存取装置之间的选通区的集成存储器在审
申请号: | 201910730910.8 | 申请日: | 2019-08-08 |
公开(公告)号: | CN110827888A | 公开(公告)日: | 2020-02-21 |
发明(设计)人: | S·J·德尔纳;C·L·英戈尔斯 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | G11C11/407 | 分类号: | G11C11/407;G11C5/02 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本申请涉及包括电荷存储装置和存取装置之间的选通区的集成存储器。一些实施例包含具有存取晶体管的集成式组合件。所述存取晶体管具有以选通方式与第二源极/漏极区耦合的第一源极/漏极区。数字线与所述第一源极/漏极区耦合。电荷存储装置经由互连件与所述第二源极/漏极区耦合。所述互连件包含一定长度的半导体材料。保护晶体管选通所述半导体材料的所述长度的一部分。 | ||
搜索关键词: | 包括 电荷 存储 装置 存取 之间 选通区 集成 存储器 | ||
【主权项】:
暂无信息
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