[发明专利]一种钙钛矿氧化物薄膜器件及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 201910731202.6 | 申请日： | 2019-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN110416409A | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | 王伦权;李文华;唐新桂 | 申请（专利权）人： | 广东工业大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 许庆胜 |
| 地址： | 510060 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请涉及电子设备的技术领域，特别涉及一种钙钛矿氧化物薄膜器件及其制备方法和应用。本申请提供了一种钙钛矿氧化物薄膜器件，包括：基底层、底电极层、PbZrO3层、第一顶电极和第二顶电极；所述底电极层设置在所述基底层的表面；所述PbZrO3层设置在所述底电极层背离所述基底层一侧的表面；所述第一顶电极设置在所述PbZrO3层背离所述底电极层一侧的表面；所述第二顶电极设置在所述底电极层背离所述基底层一侧的表面。本申请的目的在于提供一种阻变开关比高的钙钛矿氧化物薄膜器件，以提高其应用范围。 | ||
| 搜索关键词： | 底电极层 钙钛矿氧化物 薄膜器件 顶电极 基底层 制备方法和应用 背离 申请 电子设备 开关比 应用 | ||
【主权项】：
1.一种钙钛矿氧化物薄膜器件，其特征在于，包括：基底层、底电极层、PbZrO3层、第一顶电极和第二顶电极；所述底电极层设置在所述基底层的表面；所述PbZrO3层设置在所述底电极层背离所述基底层一侧的表面；所述第一顶电极设置在所述PbZrO3层背离所述底电极层一侧的表面；所述第二顶电极设置在所述底电极层背离所述基底层一侧的表面。
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