[发明专利]存储器与其读写方法有效

专利信息
申请号: 201910731330.0 申请日: 2019-08-08
公开(公告)号: CN112349311B 公开(公告)日: 2023-01-31
发明(设计)人: 熊保玉;何世坤;陆宇 申请(专利权)人: 中电海康集团有限公司;浙江驰拓科技有限公司
主分类号: G11C5/02 分类号: G11C5/02;G11C7/10;G11C7/12;G11C8/08
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 董文倩
地址: 311121 浙江省杭州*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 本申请提供了一种存储器与其读写方法。该存储器包括多个沿着第一方向排列的存储层,各存储层包括:存储阵列,包括多个阵列方式排列的存储单元和多个间隔设置的位线;开关单元,包括多个开关、多个间隔的字线以及至少一个源极线。这种排列方式使得相邻的存储层的位线和源极线相互之间独立,可以单独加电压,当其中的一层被选中时,其相邻的存储层的位线和源极线之间没有压差,所以不存在漏电现象,使得该存储器的漏电较小。该存储器由于不同的存储层不共用位线和源极线,因此,可以实现随机读写操作,提高存储器的性能。
搜索关键词: 存储器 与其 读写 方法
【主权项】:
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