[发明专利]一种TFT阵列基板及其显示面板在审
| 申请号： | 201910732658.4 | 申请日： | 2019-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN110534529A | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 刘净 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L29/423;H01L29/417 |
| 代理公司： | 44300 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) | 代理人： | 黄威<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种TFT阵列基板，包括基板层和设置在所述基板层上的金属层。其中所述金属层包括第一金属层和设置在所述第一金属层上的第二金属层，所述第一金属层包括主体部和尾部，其中所述第一金属层的主体部向上对应所述第二金属层，而所述第一金属层的尾部则是所述第一金属层自所述主体部的侧端部延伸出所述第二金属层外的部分。本发明提供了一种TFT阵列基板，其采用新型的金属层形貌特征，从而有效的改善其所在阵列基板在暗态下的漏光情况，进而提高了所在产品的对比度。 | ||
| 搜索关键词： | 第一金属层 第二金属层 金属层 主体部 基板层 形貌特征 阵列基板 侧端部 暗态 漏光 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种TFT阵列基板，包括基板层和设置在所述基板层上的金属层；其特征在于，其中所述金属层包括第一金属层和设置在所述第一金属层上的第二金属层；其中所述第一金属层包括主体部和尾部，其中所述第一金属层的主体部向上对应所述第二金属层，而所述第一金属层的尾部则是所述第一金属层自所述主体部的侧端部延伸出所述第二金属层外的部分。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
