[发明专利]一种具有三层膜结构的P型PERC电池结构在审
申请号: | 201910733562.X | 申请日: | 2019-08-09 |
公开(公告)号: | CN112436061A | 公开(公告)日: | 2021-03-02 |
发明(设计)人: | 何飞;徐小萍 | 申请(专利权)人: | 江苏晶旺新能源科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0236;H01L31/04 |
代理公司: | 北京科家知识产权代理事务所(普通合伙) 11427 | 代理人: | 艾秀丽 |
地址: | 225600 江苏省扬*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了太阳能电池技术领域的一种具有三层膜结构的P型PERC电池结构,包括硅片层,所述硅片层顶部外壁设置有正面氧化硅层,所述正面氧化硅层顶部外壁与正面氧化铝层固定连接,所述正面氧化铝层顶部外壁设置有正面氮化硅层,所述硅片层顶部外壁设置有正电极,且正电极顶端延伸至正面氮化硅层的顶部外壁,所述硅片层底部外壁设置有钝化层,装置中保护层是由第一氧化硅层、背面氮化硅层与第二氧化硅层组成的,通过保护层可以阻挡缺陷延展,三层膜互补,降低背表面复合速率,增加背表面钝化效果和提高钝化效果,并且正面氧化硅层与正面氮化硅层之间的正面氧化铝层,使得该电池结构具有更强的抗PID性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 具有 三层 膜结构 perc 电池 结构 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的