[发明专利]一种微流控芯片微通道的激光制备方法有效
| 申请号： | 201910734224.8 | 申请日： | 2019-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN110433877B | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 吴天昊 | 申请（专利权）人： | 北京电子工程总体研究所 |
| 主分类号： | B01L3/00 | 分类号： | B01L3/00 |
| 代理公司： | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人： | 张磊 |
| 地址： | 100854*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开一种微流控芯片微通道的激光刻蚀制备方法，包括如下步骤：清洗由高聚物材料制成的基板的表面，去除基板表面附着物；将基板置于移动平台，使用气体激光器出射的激光对基板进行刻蚀形成微通道，同时，测量出微通道两侧热影响区的宽度值；对微通道的两侧进行多次激光刻蚀，形成横截面为梯形的微通道，每次刻蚀前，以上一次刻蚀位置为原点，移动平台带动基板横向平移热影响区宽度值的距离；将激光刻蚀后的基板进行退火处理，然后将盖片与所述基板热压合，得到微流控芯片。本方法无需复杂计算，仅测量一次刻蚀后侧面热影响区的宽度值，然后横向平移该宽度值进行多次刻蚀就可得到形貌良好的梯形微通道，并且该微通道底面平坦，表面粗糙度小。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 微流控 芯片 通道 激光 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种微流控芯片微通道的激光刻蚀制备方法，其特征在于，包括如下步骤：清洗由高聚物材料制成的基板的表面，去除基板表面附着物；将基板置于移动平台，使用气体激光器出射的激光对基板进行刻蚀形成微通道，同时，测量出微通道两侧热影响区的宽度值；对微通道的两侧进行多次激光刻蚀，形成横截面为梯形的微通道，每次刻蚀前，以上一次刻蚀位置为原点，所述移动平台带动基板横向平移所述热影响区宽度值的距离；将激光刻蚀后的基板进行退火处理，然后将盖片与所述基板热压合，得到微流控芯片。
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