[发明专利]一种Cr-Sb相变存储材料及其制备与应用有效

专利信息
申请号: 201910734408.4 申请日: 2019-08-09
公开(公告)号: CN110571327B 公开(公告)日: 2021-04-20
发明(设计)人: 徐明;林俊;李博文;缪向水 申请(专利权)人: 华中科技大学
主分类号: H01L45/00 分类号: H01L45/00;C23C14/16;C23C14/18;C23C14/35
代理公司: 华中科技大学专利中心 42201 代理人: 许恒恒;李智
地址: 430074 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明属于微电子技术领域,公开了一种Cr‑Sb相变存储材料及其制备与应用,该Cr‑Sb相变存储材料化学组成通式为CriSbj,其中,i、j分别对应着Cr原子、Sb原子在该Cr‑Sb相变存储材料中的原子百分比,并且5≤i≤30,70≤j≤95,i+j=100。本发明通过在单晶Sb中掺入Cr,得到化学组成通式为CriSbj的Cr‑Sb相变存储材料,Cr与Sb的化合带来了一系列材料性质的变化,由此实现了具备热稳定性和异常光学性质的二元Cr‑Sb相变存储材料,能够改善非晶的稳定性,提高相变材料的结晶温度,以此来提高相变存储材料的热稳定性,尤其适用于在相变存储器、人工神经网络或抑制性突触器件中应用。
搜索关键词: 一种 cr sb 相变 存储 材料 及其 制备 应用
【主权项】:
1.一种Cr-Sb相变存储材料,其特征在于,其化学组成通式为Cr
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