[发明专利]多掺杂硅锭的制备方法、多掺杂硅锭和硅片在审
| 申请号： | 201910735093.5 | 申请日： | 2019-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN110438566A | 公开（公告）日： | 2019-11-12 |
| 发明（设计）人： | 明亮;段金刚;黄美玲;刘福刚 | 申请（专利权）人： | 湖南红太阳光电科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B11/04;C30B28/06 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 | 代理人： | 周长清;何文红 |
| 地址： | 410205 湖南省*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多掺杂硅锭的制备方法、多掺杂硅锭和硅片，该制备方法包括以下步骤：将硅料、硼硅合金、磷硅合金和镓合金混合，得到混合物料，其中混合物料中硅、硼、磷、镓的浓度比为1︰5.1×10‑8～1.1×10‑6︰6.4×10‑10～3.1×10‑6︰2.0×10‑9～4.2×10‑5；所得混合物料进行熔化、再结晶和退火冷却，得到多掺杂硅锭。多掺杂硅锭由上述制备方法制得。硅片由上述多掺杂硅锭制得。本发明制备方法制得的多掺杂硅锭，硼溶度较低，具有电阻率分布均匀性好、少子寿命长等优点，由此制备的太阳电池光电转换效率更高，光致衰减率更低，对于实现太阳电池的广泛应用具有十分重要的意义。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂硅 制备 混合物料 硅片 合金 太阳电池光电转换效率 熔化 退火 电阻率分布 光致衰减 均匀性好 少子寿命 浓度比 再结晶 镓合金 锭制 硅料 磷硅 硼硅 溶度 冷却 应用 | ||
【主权项】：
1.一种多掺杂硅锭的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、将硅料、硼硅合金、磷硅合金和镓合金混合，得到混合物料；所述混合物料中硅、硼、磷、镓的浓度比为1︰5.1×10‑8～1.1×10‑6︰6.4×10‑10～3.1×10‑6︰2.0×10‑9～4.2×10‑5；S2、将步骤S1中的混合物料进行熔化、再结晶和退火冷却，得到多掺杂硅锭。
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