[发明专利]一种精确表征晶体三维取向和晶体学取向的方法在审
| 申请号： | 201910736340.3 | 申请日： | 2019-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN110441342A | 公开（公告）日： | 2019-11-12 |
| 发明（设计）人： | 陈国清;王雅琨;付雪松 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | G01N23/2251 | 分类号： | G01N23/2251;G01N23/2202;G01N23/203 |
| 代理公司： | 大连东方专利代理有限责任公司 21212 | 代理人： | 李馨 |
| 地址： | 116024 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明提供一种精确表征晶体三维取向和晶体学取向的方法。本发明方法，包括如下步骤：获取所述晶体材料待测区域内的二维组织形貌和EBSD花样；将其通过三维图像分析软件进行三维图像合成，获取三维形貌；提取特征形貌在三维形貌所在坐标系中的三维取向；通过三维取向转换到EBSD获得的晶体学坐标系中，获得所述特征形貌的晶体学取向。本发明可以精确地同时解析各种材料特征组织结构的取向和晶体学取向，对材料晶体生长取向和生长行为研究具有重要意义。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体学取向 取向 三维 三维形貌 形貌 三维图像分析 三维图像合成 材料晶体 材料特征 待测区域 晶体材料 取向转换 生长取向 特征形貌 提取特征 行为研究 重要意义 组织结构 组织形貌 二维 解析 花样 生长 | ||
【主权项】：
1.一种精确表征晶体三维取向和晶体学取向的方法，其特征在于，包括如下步骤：1)获取所述晶体材料待测区域内的一系列截面的二维组织形貌；2)获取待测区域内EBSD花样；3)将所述步骤1)获得的系列所述二维组织形貌通过三维图像分析软件进行三维图像合成，获取三维形貌；4)在EBSD获得的晶体学坐标系与所述三维形貌所在坐标系之间建立转换关系；5)在所述步骤3)中合成的所述三维形貌中提取特征形貌在三维形貌所在坐标系中的三维取向；6)将所述步骤5)的特征形貌的三维取向转换到EBSD获得的晶体学坐标系中，获得所述特征形貌的晶体学取向。
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