[发明专利]存储器编程方法、装置、电子设备及可读存储介质在审

专利信息
申请号: 201910738267.3 申请日: 2019-08-12
公开(公告)号: CN110619916A 公开(公告)日: 2019-12-27
发明(设计)人: 李爽;王瑜;张超;李海波;侯春源;盛悦 申请(专利权)人: 长江存储科技有限责任公司
主分类号: G11C16/34 分类号: G11C16/34;G11C16/08;G11C16/24;G11C16/04
代理公司: 11479 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人: 陈敏
地址: 430074 湖北省武汉市洪山区东*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明提供了一种存储器编程方法、装置、电子设备及可读存储介质,所述存储器编程方法包括如下步骤:1)采用初始编程电压对所述存储器中待编程的存储单元进行编程;2)验证所述存储单元是否完成编程,并对未通过验证的所述存储单元按照编程速度快慢进行分类;3)采用不同的编程电压分别对编程速度快慢不同的未通过验证的所述存储单元进行再次编程。本发明通过引入一种新的存储器编程方法、装置、电子设备及可读存储介质,在编程后的验证过程中对存储单元编程速度的快慢进行分类,在再次编程时,对编程速度快慢不同的存储单元施加不同的编程电压,进一步缩减了阈值电压的区间范围,确保了存储器的可靠性。
搜索关键词: 编程 存储器 存储单元 速度快慢 可读存储介质 编程电压 电子设备 验证 初始编程电压 存储单元编程 验证过程 阈值电压 分类 施加 引入
【主权项】:
1.一种存储器编程方法,其特征在于,包括如下步骤:/n1)采用初始编程电压对所述存储器中待编程的存储单元进行编程;/n2)验证所述存储单元是否完成编程,并对未通过验证的所述存储单元按照编程速度快慢进行分类;/n3)采用不同的编程电压分别对编程速度快慢不同的未通过验证的所述存储单元进行再次编程。/n
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