[发明专利]一种新型太赫兹温控可调多频超材料吸波器在审

专利信息
申请号: 201910739280.0 申请日: 2019-08-12
公开(公告)号: CN110446415A 公开(公告)日: 2019-11-12
发明(设计)人: 屈增;段俊萍;张斌珍;徐永庆 申请(专利权)人: 中北大学
主分类号: H05K9/00 分类号: H05K9/00
代理公司: 太原科卫专利事务所(普通合伙) 14100 代理人: 朱源
地址: 030051 山*** 国省代码: 山西;14
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摘要: 发明涉及新型太赫兹温控可调多频超材料吸波器设计及制备,设计思路包括以下步骤:根据当前温控材料的发展现状,选择InSb作为超材料吸波器介质基板,并根据Drude模型对其相对介电常数进行近似计算并提取;基于传统的“三明治”吸波结构设计原理,利用时域有限差分法进行建模仿真,设计出一种极化不敏感的四角L型和中间内嵌锯齿型结构组合而成的超材料金属单元,最后进行磁控溅射工艺和金属剥离工艺进行样品制备。在本发明中多频温控超材料单元设计及工艺制备是核心技术,与传统吸波材料相比吸波频段更多、灵活性更好、制作精度更高。
搜索关键词: 超材料 吸波 多频 温控 可调 三明治 传统吸波材料 磁控溅射工艺 相对介电常数 超材料单元 极化不敏感 锯齿型结构 工艺制备 核心技术 建模仿真 介质基板 金属剥离 金属单元 近似计算 温控材料 吸波结构 样品制备 差分法 传统的 频段 内嵌 时域 制备 制作
【主权项】:
1.一种新型太赫兹温控可调多频超材料吸波器,其特征在于采用“三明治”吸波结构,中间的介质层(2)选用温控可调的InSb材料,在InSb介质层两侧使用溅射工艺,背面全附金属,正面采用金属剥离工艺制备单元阵列。
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