[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201910739299.5 | 申请日： | 2019-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN111697069B | 公开（公告）日： | 2023-09-08 |
| 发明（设计）人： | 南川和生;西川幸江;财满康太郎 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/78;H01L29/861;H01L29/06 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 徐殿军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 有关实施方式的半导体装置具有第1电极、半导体层、第2电极、第3电极、半绝缘层和第1绝缘层。半导体层设于第1电极之上。半导体层具有第1导电型的第1半导体区域、第2导电型的第2半导体区域、第2导电型的第3半导体区域、第1导电型的第4半导体区域。第2半导体区域设于第1半导体区域之上，第3半导体区域设于第2半导体区域的周围。第4半导体区域设于第3半导体区域的周围。第2电极具有被设于第2半导体区域之上的第1电极部分和被设于第1电极部分的周围的第2电极部分。第3电极设于第2电极的周围，与第4半导体区域电连接。半绝缘层与第2电极及第3电极电连接。第1绝缘层的第1下表面的第1端部位于第3半导体区域之上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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