[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201910739340.9 | 申请日： | 2019-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN111696966A | 公开（公告）日： | 2020-09-22 |
| 发明（设计）人： | 志村昌洋;野口充宏 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L49/02 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 根据一实施方式，半导体装置具备：第1导电型的第1半导体层(10)，设定为第1电位；第2导电型的第2半导体层(20)，积层在第1半导体层(10)，且设定为第2电位；层间绝缘膜(40)，配置在第2半导体层(20)的主面；电阻体(30)，介隔第2半导体层(20)及层间绝缘膜(40)配置在第1半导体层(10)的上方；以及电源端子(50)，与第2半导体层(20)电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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